ME7362-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7362-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7362-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7362-G даташит

 ..1. Size:997K  matsuki electric
 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362-G

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 2 m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3 m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие IGBT... ME7232, ME7232-G, ME7232S, ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G, ME7356-G, ME7362, AON6380, ME7423S-G, ME7442D-G, ME75N03, ME75N03-G, ME7607, ME7607-G, ME7620, ME7620-G