Справочник MOSFET. ME7362-G

 

ME7362-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7362-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 203 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7362-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7362-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  matsuki electric
 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362-G

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , IRLZ44N , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G .

History: CJ3139KDW | HM2301BSR

 

 
Back to Top

 


 
.