Справочник MOSFET. ME7362-G

 

ME7362-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7362-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7362-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  matsuki electric
 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362-G

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CEZ3R04 | 2V7002L | BF900 | 7N65KL-TF2-T | KND3508A | IXTQ96N15P | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.