ME7423S-G Todos los transistores

 

ME7423S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7423S-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7423S-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7423S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:930K  1
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel Enhancement Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 13m@VGS=-10V The ME7423 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5V transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particular

 ..2. Size:1012K  matsuki electric
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel 30V(D-S) MOSFET D GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7423S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly

Otros transistores... ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , AO4407 , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , ME7632 .

History: HGP068N15S | ELM17408GA

 

 
Back to Top

 


 
.