Справочник MOSFET. ME7423S-G

 

ME7423S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7423S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7423S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7423S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:930K  1
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel Enhancement Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 13m@VGS=-10V The ME7423 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5V transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particular

 ..2. Size:1012K  matsuki electric
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel 30V(D-S) MOSFET D GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7423S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m@ VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly

Другие MOSFET... ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , AO4407 , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , ME7632 .

History: IRFZ48RPBF | IXFH15N100Q3 | FJ350301 | IXFH24N80P | ZXM61P03F | RJK1526DPJ | RFP4N100

 

 
Back to Top

 


 
.