ME7423S-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7423S-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME7423S-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7423S-G даташит

 ..1. Size:930K  1
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel Enhancement Mosfet GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 13m @VGS=-10V The ME7423 P-Channel logic enhancement mode power field effect RDS(ON) 17m @ VGS=-4.5V transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particular

 ..2. Size:1012K  matsuki electric
 me7423s-g.pdf pdf_icon

ME7423S-G

ME7423S-G P-Channel 30V(D-S) MOSFET D GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7423S P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 13m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 17m @ VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly

Другие IGBT... ME7232-G, ME7232S, ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G, ME7356-G, ME7362, ME7362-G, IRF530, ME7442D-G, ME75N03, ME75N03-G, ME7607, ME7607-G, ME7620, ME7620-G, ME7632