ME7442D-G Todos los transistores

 

ME7442D-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7442D-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 101 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 676 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.0023 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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ME7442D-G Datasheet (PDF)

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ME7442D-G

Preliminary-ME7442D-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7442D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.3 m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.5 m @VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protectionminimize on-state resistance.

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History: SM4364NAKP | 2N7002P | BUK9616-55A | TDM3428B | HGS750N15M | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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