Справочник MOSFET. ME7442D-G

 

ME7442D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7442D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 676 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0023 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7442D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  matsuki electric
 me7442d-g.pdf pdf_icon

ME7442D-G

Preliminary-ME7442D-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7442D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.3 m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.5 m @VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protectionminimize on-state resistance.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF9Z24L | MCH6342 | PP4B10AF | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.