ME7442D-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7442D-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 676 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0023 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для ME7442D-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7442D-G даташит

 ..1. Size:569K  matsuki electric
 me7442d-g.pdf pdf_icon

ME7442D-G

Preliminary-ME7442D-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7442D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 2.3 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.5 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protection minimize on-state resistance.

Другие IGBT... ME7232S, ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G, ME7356-G, ME7362, ME7362-G, ME7423S-G, CS150N03A8, ME75N03, ME75N03-G, ME7607, ME7607-G, ME7620, ME7620-G, ME7632, ME7632-G