Справочник MOSFET. ME7442D-G

 

ME7442D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7442D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 676 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.0023 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для ME7442D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7442D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  matsuki electric
 me7442d-g.pdf pdf_icon

ME7442D-G

Preliminary-ME7442D-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7442D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.3 m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.5 m @VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to ESD Protectionminimize on-state resistance.

Другие MOSFET... ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , IRLB4132 , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , ME7632 , ME7632-G .

History: FIR4N80FG | HGM046NE6AL | IXTN200N10T | BUK7K32-100E | H7N0603DL | AOTF15S65L

 

 
Back to Top

 


 
.