ME75N03-G Todos los transistores

 

ME75N03-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME75N03-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ME75N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  matsuki electric
 me75n03 me75n03-g.pdf pdf_icon

ME75N03-G

ME75N03/ME75N03-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.2m@VGS=10V The ME75N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)8m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espe

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History: QM0020AP | HM5N30K | UT40N04 | SIA485DJ | STD35NF3LLT4 | IRFY9240M | 7NM65L-T2Q-T

 

 
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