Справочник MOSFET. ME75N03-G

 

ME75N03-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME75N03-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME75N03-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME75N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  matsuki electric
 me75n03 me75n03-g.pdf pdf_icon

ME75N03-G

ME75N03/ME75N03-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.2m@VGS=10V The ME75N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)8m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espe

Другие MOSFET... ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , IRFP250 , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , ME7632 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G .

History: CEB83A3 | SVD50N06T | BLS2933-100 | AM7343P

 

 
Back to Top

 


 
.