ME7607-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7607-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 35 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: POWERDFN5X6

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ME7607-G datasheet

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ME7607-G

ME7607/ME7607-G P-Channel 35V Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7607 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 6m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 9m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

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