ME7607-G Todos los transistores

 

ME7607-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7607-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7607-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  matsuki electric
 me7607 me7607-g.pdf pdf_icon

ME7607-G

ME7607/ME7607-G P-Channel 35V Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7607 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)6m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

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History: JCS7N60BB | RSR025P03TL | 2SK2208 | AO4817 | ME75N03 | JCS7N60CB

 

 
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