Справочник MOSFET. ME7607-G

 

ME7607-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7607-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 118 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7607-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  matsuki electric
 me7607 me7607-g.pdf pdf_icon

ME7607-G

ME7607/ME7607-G P-Channel 35V Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7607 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)6m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

Другие MOSFET... ME7356-G , ME7362 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , IRF1407 , ME7620 , ME7620-G , ME7632 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G , ME7636 , ME7636-G .

 

 
Back to Top

 


 
.