Справочник MOSFET. ME7607-G

 

ME7607-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7607-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 164 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6

 Аналог (замена) для ME7607-G

 

 

ME7607-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  matsuki electric
 me7607 me7607-g.pdf

ME7607-G ME7607-G

ME7607/ME7607-G P-Channel 35V Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7607 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)6m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top