ME7607-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7607-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7607-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7607-G даташит

 ..1. Size:1118K  matsuki electric
 me7607 me7607-g.pdf pdf_icon

ME7607-G

ME7607/ME7607-G P-Channel 35V Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7607 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 6m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 9m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design

Другие IGBT... ME7356-G, ME7362, ME7362-G, ME7423S-G, ME7442D-G, ME75N03, ME75N03-G, ME7607, IRFP450, ME7620, ME7620-G, ME7632, ME7632-G, ME7632S, ME7632S-G, ME7636, ME7636-G