ME7620-G Todos los transistores

 

ME7620-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7620-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 127 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 741 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7620-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  matsuki electric
 me7620 me7620-g.pdf pdf_icon

ME7620-G

ME7620/ME7620-G N-Channel 20V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7620-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.2 m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)2.4 m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)3.0 m@VGS=2.5V minimize on-state res

Otros transistores... ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , P60NF06 , ME7632 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G , ME7636 , ME7636-G , ME7640 , ME7640-G .

History: HGM046NE6AL | OSG60R099FT3F | IXFH23N80Q | CHM65A3PAGP | BUK9E06-55A | FTK100N10P | SUM90N08-7M6P

 

 
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