ME7620-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME7620-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 127 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 741 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6

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ME7620-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1348K matsuki electric
me7620 me7620-g.pdf

ME7620/ME7620-G N-Channel 20V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7620-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.2 m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)2.4 m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)3.0 m@VGS=2.5V minimize on-state res

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: