ME7620-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7620-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 127 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 741 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7620-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7620-G даташит

 ..1. Size:1348K  matsuki electric
 me7620 me7620-g.pdf pdf_icon

ME7620-G

ME7620/ME7620-G N-Channel 20V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7620-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 2.2 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 2.4 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 3.0 m @VGS=2.5V minimize on-state res

Другие IGBT... ME7362-G, ME7423S-G, ME7442D-G, ME75N03, ME75N03-G, ME7607, ME7607-G, ME7620, AO4407, ME7632, ME7632-G, ME7632S, ME7632S-G, ME7636, ME7636-G, ME7640, ME7640-G