Справочник MOSFET. ME7620-G

 

ME7620-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7620-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 127 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 741 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7620-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7620-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  matsuki electric
 me7620 me7620-g.pdf pdf_icon

ME7620-G

ME7620/ME7620-G N-Channel 20V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7620-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.2 m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)2.4 m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)3.0 m@VGS=2.5V minimize on-state res

Другие MOSFET... ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , P60NF06 , ME7632 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G , ME7636 , ME7636-G , ME7640 , ME7640-G .

History: GSM6604 | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD | DAMH50N500H | OSG65R070PT3F

 

 
Back to Top

 


 
.