ME7686 Todos los transistores

 

ME7686 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7686
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7686 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7686 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me7686 me7686-g.pdf pdf_icon

ME7686

ME7686/ME7686-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7686-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)10.5m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)18m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

Otros transistores... ME7642 , ME7642-G , ME7644 , ME7644-G , ME7648 , ME7648-G , ME7648S , ME7648S-G , IRF830 , ME7686-G , ME7705 , ME7705-G , ME7707 , ME7707-G , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S .

History: PB210BC | AP9973GD | ME4947 | IPD80R3K3P7 | JCS7HN65S | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
Back to Top

 


 
.