Справочник MOSFET. ME7686

 

ME7686 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7686
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7686

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7686 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me7686 me7686-g.pdf pdf_icon

ME7686

ME7686/ME7686-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7686-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)10.5m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)18m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

Другие MOSFET... ME7642 , ME7642-G , ME7644 , ME7644-G , ME7648 , ME7648-G , ME7648S , ME7648S-G , IRF830 , ME7686-G , ME7705 , ME7705-G , ME7707 , ME7707-G , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S .

History: PK5G6EA | FDS6680S | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | STN4260 | HMS60N10D

 

 
Back to Top

 


 
.