ME7707-G Todos los transistores

 

ME7707-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7707-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7707-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7707-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  matsuki electric
 me7707 me7707-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 9.1. Size:933K  matsuki electric
 me7705 me7705-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

Otros transistores... ME7648-G , ME7648S , ME7648S-G , ME7686 , ME7686-G , ME7705 , ME7705-G , ME7707 , IRF730 , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G .

History: FC8V22280L | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | IPD60R2K1CE | AM6411P

 

 
Back to Top

 


 
.