ME7707-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME7707-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 44.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 221 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME7707-G
ME7707-G Datasheet (PDF)
me7707 me7707-g.pdf
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me7705 me7705-g.pdf
ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
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