Справочник MOSFET. ME7707-G

 

ME7707-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7707-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7707-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7707-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  matsuki electric
 me7707 me7707-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 9.1. Size:933K  matsuki electric
 me7705 me7705-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

Другие MOSFET... ME7648-G , ME7648S , ME7648S-G , ME7686 , ME7686-G , ME7705 , ME7705-G , ME7707 , IRF730 , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G .

History: UF830L-TM3-T | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2 | 7N65G-TQ2-R | CHM6601JGP

 

 
Back to Top

 


 
.