ME7707-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7707-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7707-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7707-G даташит

 ..1. Size:936K  matsuki electric
 me7707 me7707-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

 9.1. Size:933K  matsuki electric
 me7705 me7705-g.pdf pdf_icon

ME7707-G

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

Другие IGBT... ME7648-G, ME7648S, ME7648S-G, ME7686, ME7686-G, ME7705, ME7705-G, ME7707, IRFB31N20D, ME7732-G, ME7802S-G, ME7805S, ME7805S-G, ME7807S, ME7807S-G, ME78101S-G, ME7810S-G