ME7732-G Todos los transistores

 

ME7732-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7732-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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ME7732-G Datasheet (PDF)

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ME7732-G

ME7732-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.5 m@VGS=10VThe ME7732-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to Exceptio

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History: DMP3025LK3-13 | HY4008P | BSB012NE2LXI | HY4008B6 | SI4860DY | SSM3K15AMFV | 4N65G-TMS2-T

 

 
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