Справочник MOSFET. ME7732-G

 

ME7732-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7732-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7732-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7732-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  matsuki electric
 me7732-g.pdf pdf_icon

ME7732-G

ME7732-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.5 m@VGS=10VThe ME7732-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)8 m@VGS=4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This high density process is especially tailored to Exceptio

Другие MOSFET... ME7648S , ME7648S-G , ME7686 , ME7686-G , ME7705 , ME7705-G , ME7707 , ME7707-G , IRFZ48N , ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G .

History: LSC65R180GT | STS5DNF60L | IRFHM8334 | AON6760 | 19MT050XF | R6535KNZ | BSC017N04NSG

 

 
Back to Top

 


 
.