ME78101S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME78101S-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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ME78101S-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1207K matsuki electric
me78101s-g.pdf

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

8.1. Size:1212K matsuki electric
me7810s-g.pdf

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)minim

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Liste

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