ME78101S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME78101S-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de ME78101S-G MOSFET
ME78101S-G Datasheet (PDF)
me78101s-g.pdf

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
me7810s-g.pdf

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)minim
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