ME78101S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME78101S-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME78101S-G datasheet

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ME78101S-G

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 6m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

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ME78101S-G

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 6m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) minim

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