ME78101S-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME78101S-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME78101S-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME78101S-G даташит

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me78101s-g.pdf pdf_icon

ME78101S-G

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 6m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 8.1. Size:1212K  matsuki electric
 me7810s-g.pdf pdf_icon

ME78101S-G

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 6m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) minim

Другие IGBT... ME7707, ME7707-G, ME7732-G, ME7802S-G, ME7805S, ME7805S-G, ME7807S, ME7807S-G, IRLB3034, ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, ME7845S-G, ME7890ED, ME7890ED-G, ME7900EN