Справочник MOSFET. ME78101S-G

 

ME78101S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME78101S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME78101S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME78101S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  matsuki electric
 me78101s-g.pdf pdf_icon

ME78101S-G

ME78101S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78101S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 8.1. Size:1212K  matsuki electric
 me7810s-g.pdf pdf_icon

ME78101S-G

ME7810S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7810S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)6m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)minim

Другие MOSFET... ME7707 , ME7707-G , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , 60N06 , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN .

 

 
Back to Top

 


 
.