ME78241S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME78241S-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 27.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 76 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 66.9 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 361 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME78241S-G
ME78241S-G Datasheet (PDF)
me78241s-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME78241S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78241S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.2m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m
me7820s-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME7820S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7820S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)5.5m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .