Справочник MOSFET. ME78241S-G

 

ME78241S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME78241S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 361 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME78241S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME78241S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1167K  matsuki electric
 me78241s-g.pdf pdf_icon

ME78241S-G

ME78241S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78241S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.2m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

 9.1. Size:878K  matsuki electric
 me7820s-g.pdf pdf_icon

ME78241S-G

ME7820S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7820S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)5.5m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

Другие MOSFET... ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , EMB04N03H , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G .

History: TPM1013ER3 | P4506BD | IXTH44P15T | FMP20N50E | ME4972-G | BLP065N08G-D | RJK5032DPH-E0

 

 
Back to Top

 


 
.