ME7845S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7845S-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 507 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7845S-G datasheet

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ME7845S-G

Preliminary-ME7845S/ME7845S-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7845S is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 10m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 17m @VGS=-1.8V minimize o

Otros transistores... ME7805S-G, ME7807S, ME7807S-G, ME78101S-G, ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, EMB04N03H, ME7890ED, ME7890ED-G, ME7900EN, ME7900EN-G, ME7910D, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G