ME7845S-G Todos los transistores

 

ME7845S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7845S-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 507 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7845S-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7845S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1037K  matsuki electric
 me7845s me7845s-g.pdf pdf_icon

ME7845S-G

Preliminary-ME7845S/ME7845S-G P-Channel 20V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7845S is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-4.5Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 10m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 17m@VGS=-1.8Vminimize o

Otros transistores... ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , AO3407 , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G .

History: STW22NM60N | MTP5N60 | OSG60R092HSF | SWSA2N40D | DMN100 | BUK761R5-40E | 2SK1008

 

 
Back to Top

 


 
.