ME7845S-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7845S-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME7845S-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7845S-G даташит

 ..1. Size:1037K  matsuki electric
 me7845s me7845s-g.pdf pdf_icon

ME7845S-G

Preliminary-ME7845S/ME7845S-G P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7845S is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 10m @VGS=-2.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 17m @VGS=-1.8V minimize o

Другие IGBT... ME7805S-G, ME7807S, ME7807S-G, ME78101S-G, ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, EMB04N03H, ME7890ED, ME7890ED-G, ME7900EN, ME7900EN-G, ME7910D, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G