Справочник MOSFET. ME7845S-G

 

ME7845S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7845S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7845S-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7845S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1037K  matsuki electric
 me7845s me7845s-g.pdf pdf_icon

ME7845S-G

Preliminary-ME7845S/ME7845S-G P-Channel 20V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7845S is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-4.5Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 10m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 17m@VGS=-1.8Vminimize o

Другие MOSFET... ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , 2SK3918 , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G .

History: TSP840MR | AOY2610E | VBA4216 | ME4454-G | IRFS542 | FTK7002K | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.