ME7890ED MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7890ED

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 339 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7890ED datasheet

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ME7890ED

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.6m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 7.8m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

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