ME7890ED Todos los transistores

 

ME7890ED MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7890ED
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 339 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7890ED MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7890ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1899K  matsuki electric
 me7890ed me7890ed-g.pdf pdf_icon

ME7890ED

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)7.8m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

Otros transistores... ME7807S , ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , MMD60R360PRH , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF .

History: FK8V0303 | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | CEB840A | AM6411P

 

 
Back to Top

 


 
.