ME7890ED MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME7890ED
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 260 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
ME7890ED Datasheet (PDF)
me7890ed me7890ed-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)7.8m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![ME7890ED](https://alltransistors.com/images/us.png)
![ME7890ED](https://alltransistors.com/images/es.png)
![ME7890ED](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B