ME7890ED-G Todos los transistores

 

ME7890ED-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7890ED-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 339 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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ME7890ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1899K  matsuki electric
 me7890ed me7890ed-g.pdf pdf_icon

ME7890ED-G

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)7.8m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

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History: IPD50R800CE | STB57N65M5

 

 
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