ME7890ED-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7890ED-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 260 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 339 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7890ED-G datasheet

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ME7890ED-G

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.6m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 7.8m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

Otros transistores... ME7807S-G, ME78101S-G, ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, ME7845S-G, ME7890ED, MMIS60R580P, ME7900EN, ME7900EN-G, ME7910D, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G, ME80N08AF, ME80N08AF-G