Справочник MOSFET. ME7890ED-G

 

ME7890ED-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7890ED-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7890ED-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7890ED-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1899K  matsuki electric
 me7890ed me7890ed-g.pdf pdf_icon

ME7890ED-G

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)7.8m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

Другие MOSFET... ME7807S-G , ME78101S-G , ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , 2N7002 , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G .

History: MX2N5116 | CHM6601JGP | GL150N03AD | FTK3443 | NCE0203S | TF2301A | SSM6P35FU

 

 
Back to Top

 


 
.