ME7890ED-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7890ED-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 260 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 339 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME7890ED-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7890ED-G даташит

 ..1. Size:1899K  matsuki electric
 me7890ed me7890ed-g.pdf pdf_icon

ME7890ED-G

ME7890ED/ME7890ED-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7890ED-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.6m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 7.8m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design fo

Другие IGBT... ME7807S-G, ME78101S-G, ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, ME7845S-G, ME7890ED, MMIS60R580P, ME7900EN, ME7900EN-G, ME7910D, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G, ME80N08AF, ME80N08AF-G