ME7900EN Todos los transistores

 

ME7900EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7900EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 472 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3NEP
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME7900EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1230K  matsuki electric
 me7900en me7900en-g.pdf pdf_icon

ME7900EN

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)23m@VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON)25m@VGS=3.1V mini

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: KF9N50P | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 2N6762JTXV | WFY3N02 | APT904R2AN | P0908AD

 

 
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