Справочник MOSFET. ME7900EN

 

ME7900EN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7900EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 472 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3NEP

 Аналог (замена) для ME7900EN

 

 

ME7900EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1230K  matsuki electric
 me7900en me7900en-g.pdf

ME7900EN ME7900EN

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)23m@VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON)25m@VGS=3.1V mini

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top