ME7900EN-G Todos los transistores

 

ME7900EN-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7900EN-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 472 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3NEP
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7900EN-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7900EN-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1230K  matsuki electric
 me7900en me7900en-g.pdf pdf_icon

ME7900EN-G

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)23m@VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON)25m@VGS=3.1V mini

Otros transistores... ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , AO3407 , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G .

History: APT19F100J | HTS130N04 | AOB2918L | FIR96N08PG | AO4952 | RLP1N06CLE | FDS4897A

 

 
Back to Top

 


 
.