ME7900EN-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7900EN-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 472 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: DFN3X3NEP

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ME7900EN-G datasheet

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ME7900EN-G

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 22m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 23m @VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON) 25m @VGS=3.1V mini

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