ME7900EN-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7900EN-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 472 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3NEP

Аналог (замена) для ME7900EN-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7900EN-G даташит

 ..1. Size:1230K  matsuki electric
 me7900en me7900en-g.pdf pdf_icon

ME7900EN-G

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 22m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 23m @VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON) 25m @VGS=3.1V mini

Другие IGBT... ME7810S-G, ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, ME7845S-G, ME7890ED, ME7890ED-G, ME7900EN, AO4407A, ME7910D, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G, ME80N08AF, ME80N08AF-G, ME80N08AH, ME80N08AH-G