Справочник MOSFET. ME7900EN-G

 

ME7900EN-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7900EN-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 472 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3NEP
 

 Аналог (замена) для ME7900EN-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7900EN-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1230K  matsuki electric
 me7900en me7900en-g.pdf pdf_icon

ME7900EN-G

ME7900EN/ME7900EN-G N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7900EN is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)23m@VGS=4V trench technology . This high density process is especially tailored to RDS(ON)25m@VGS=3.1V mini

Другие MOSFET... ME7810S-G , ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , AO3407 , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.