ME7910D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7910D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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ME7910D datasheet

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ME7910D

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 14m @VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 15m @VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON) 17.5m @VGS=3.1V tailored

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