ME7910D Todos los transistores

 

ME7910D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME7910D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de ME7910D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME7910D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  matsuki electric
 me7910d me7910d-g.pdf pdf_icon

ME7910D

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)15m@VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)17.5m@VGS=3.1V tailored

Otros transistores... ME7820S-G , ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , AO4468 , ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 .

History: DADMI056N090Z1B | RJK6025DPH-E0 | VBJ2102M | IPB107N20N3 | CEU540N | CEF740A | IXFV12N100PS

 

 
Back to Top

 


 
.