Справочник MOSFET. ME7910D

 

ME7910D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7910D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7910D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  matsuki electric
 me7910d me7910d-g.pdf pdf_icon

ME7910D

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)15m@VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)17.5m@VGS=3.1V tailored

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPD053N06N | FSL234R | FDP12N50NZ | IXFT320N10T2 | NP36N055SHE | APT40N60B2CF | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.