ME7910D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7910D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для ME7910D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7910D даташит

 ..1. Size:884K  matsuki electric
 me7910d me7910d-g.pdf pdf_icon

ME7910D

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 14m @VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 15m @VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON) 17.5m @VGS=3.1V tailored

Другие IGBT... ME7820S-G, ME78241S-G, ME7845S, ME7845S-G, ME7890ED, ME7890ED-G, ME7900EN, ME7900EN-G, 60N06, ME7910D-G, ME8029, ME8029-G, ME80N08AF, ME80N08AF-G, ME80N08AH, ME80N08AH-G, ME8117