Справочник MOSFET. ME7910D

 

ME7910D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7910D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для ME7910D

 

 

ME7910D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  matsuki electric
 me7910d me7910d-g.pdf

ME7910D ME7910D

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)15m@VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)17.5m@VGS=3.1V tailored

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top