ME8029 Todos los transistores

 

ME8029 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME8029
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 937 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME8029 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  matsuki electric
 me8029 me8029-g.pdf pdf_icon

ME8029

ME8029/ME8029-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.6m@VGS=10V The ME8029 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tai

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RZR040P01 | WSD80100DN56 | WFF2N60B | 2SK2542 | DH100P25E | 2300 | IXFN40N90P

 

 
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