Справочник MOSFET. ME8029

 

ME8029 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME8029
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 937 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME8029

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8029 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  matsuki electric
 me8029 me8029-g.pdf pdf_icon

ME8029

ME8029/ME8029-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.6m@VGS=10V The ME8029 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tai

Другие MOSFET... ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , IRFP064N , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , ME8117-G , ME8205B .

History: OSG65R099PT3ZF | RJK5032DPH-E0 | FMP20N50E | HY1803C2 | ME4972-G | IXTH44P15T | P4506BD

 

 
Back to Top

 


 
.