ME8029-G Todos los transistores

 

ME8029-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME8029-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 937 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME8029-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:991K  matsuki electric
 me8029 me8029-g.pdf pdf_icon

ME8029-G

ME8029/ME8029-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.6m@VGS=10V The ME8029 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tai

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History: VS3620DP-G | SHD226309 | 2SJ152 | SDF07N80 | NTMFS4925NT1G

 

 
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