ME8029-G - описание и поиск аналогов

 

ME8029-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME8029-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 937 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME8029-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8029-G даташит

 ..1. Size:991K  matsuki electric
 me8029 me8029-g.pdf pdf_icon

ME8029-G

ME8029/ME8029-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 2.6m @VGS=10V The ME8029 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 3.9m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tai

Другие MOSFET... ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , ME7910D-G , ME8029 , IRF730 , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , ME8117-G , ME8205B , ME8205B-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.