ME8029-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME8029-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 137 nC
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 937 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0026 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ME8029-G Datasheet (PDF)
..1. Size:991K matsuki electric
me8029 me8029-g.pdf
me8029 me8029-g.pdf
ME8029/ME8029-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.6m@VGS=10V The ME8029 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tai
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
