ME8117-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME8117-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 146 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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ME8117-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1218K matsuki electric
me8117 me8117-g.pdf

ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)5.2m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9.5m@VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

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Liste

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