ME8117-G Todos los transistores

 

ME8117-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME8117-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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ME8117-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  matsuki electric
 me8117 me8117-g.pdf pdf_icon

ME8117-G

ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)5.2m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9.5m@VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

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History: SL4407A | CJAB25SN06 | SVF12N65CS | CS16N65P | 2SK2835 | SVF4N65CAMJ | HM4453A

 

 
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