ME8117-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME8117-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
Encapsulados: SOP8
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ME8117-G datasheet
me8117 me8117-g.pdf
ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 5.2m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 9.5m @VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O
Otros transistores... ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , IRF540N , ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 .
History: AON7514 | AON7422L | SIR414DP | ME8117
History: AON7514 | AON7422L | SIR414DP | ME8117
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