Справочник MOSFET. ME8117-G

 

ME8117-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME8117-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8117-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  matsuki electric
 me8117 me8117-g.pdf pdf_icon

ME8117-G

ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)5.2m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9.5m@VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SUD50N02-06P | BLF8G10LS-160 | STP5NB40 | STD3N30LT4 | SJMN099R60ZSW | 2P985G-2 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.