ME8117-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME8117-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME8117-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME8117-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8117-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  matsuki electric
 me8117 me8117-g.pdf pdf_icon

ME8117-G

ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)5.2m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)9.5m@VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие MOSFET... ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , IRF540N , ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 .

History: R6011KNX | TMD8N60AZ | IPB17N25S3-100 | WTM3400 | N0601N | STF18N55M5

 

 
Back to Top

 


 
.