ME8117-G - описание и поиск аналогов

 

ME8117-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME8117-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME8117-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME8117-G даташит

 ..1. Size:1218K  matsuki electric
 me8117 me8117-g.pdf pdf_icon

ME8117-G

ME8117/ME8117-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME8117 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 5.2m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 9.5m @VGS=-4V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие MOSFET... ME7910D-G , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , IRF540N , ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 .

History: BSP92P | BUK6C3R3-75C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.