ME96N03-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME96N03-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 107.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 62 nC
Tiempo de subida (tr): 353 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 311 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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ME96N03-G Datasheet (PDF)
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ME96N03-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.4m@VGS=10V The ME96N03-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.3m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore
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