ME96N03-G Todos los transistores

 

ME96N03-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME96N03-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 107.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 353 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ME96N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  matsuki electric
 me96n03-g.pdf pdf_icon

ME96N03-G

ME96N03-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.4m@VGS=10V The ME96N03-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.3m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore

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History: HGK029N10S | TK13A50DA | PB606BA | FDS8435A | PMR780SN | HGB049N10S | 2N5564

 

 
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