ME96N03-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME96N03-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 107.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
Время нарастания (tr): 353 ns
Выходная емкость (Cd): 311 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO252
ME96N03-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1097K matsuki electric
me96n03-g.pdf
me96n03-g.pdf
ME96N03-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.4m@VGS=10V The ME96N03-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.3m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
