Справочник MOSFET. ME96N03-G

 

ME96N03-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME96N03-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 107.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 353 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME96N03-G

 

 

ME96N03-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  matsuki electric
 me96n03-g.pdf

ME96N03-G ME96N03-G

ME96N03-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.4m@VGS=10V The ME96N03-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.3m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailore

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top