MEE2348-G Todos los transistores

 

MEE2348-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MEE2348-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

MEE2348-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  matsuki electric
 mee2348 mee2348-g.pdf pdf_icon

MEE2348-G

MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail

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History: ME2301DN | 2SK4146-S19-AY | SSW47N60SFD | IRL2505 | IRLM210A | KF7N50I | FIR24N50APTG

 

 
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