MEE2348-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MEE2348-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для MEE2348-G
MEE2348-G Datasheet (PDF)
mee2348 mee2348-g.pdf

MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail
Другие MOSFET... ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 , IRF630 , MEE3710T , MEE3712F , MEE3712H , MEE3712T , MEE3716F , MEE3716T , MEE3718T , MEE4292-G .
History: IRHLUC7970Z4 | MSAFX10N90A | RFD16N03L | P1203BD | JCS7N80BH
History: IRHLUC7970Z4 | MSAFX10N90A | RFD16N03L | P1203BD | JCS7N80BH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor