Справочник MOSFET. MEE2348-G

 

MEE2348-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MEE2348-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для MEE2348-G

 

 

MEE2348-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  matsuki electric
 mee2348 mee2348-g.pdf

MEE2348-G MEE2348-G

MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top