Справочник MOSFET. MEE2348-G

 

MEE2348-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE2348-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для MEE2348-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE2348-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  matsuki electric
 mee2348 mee2348-g.pdf pdf_icon

MEE2348-G

MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail

Другие MOSFET... ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 , IRF630 , MEE3710T , MEE3712F , MEE3712H , MEE3712T , MEE3716F , MEE3716T , MEE3718T , MEE4292-G .

History: WFJ8N65B | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | STD100N03LT4 | STW75N60M6 | HGP059N08A | SSM6P15FU

 

 
Back to Top

 


 
.