Справочник MOSFET. MEE2348-G

 

MEE2348-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE2348-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE2348-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  matsuki electric
 mee2348 mee2348-g.pdf pdf_icon

MEE2348-G

MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMFS4833NS | IRLH6224PBF | BL3N100-D | YJL2300A | BUK9M42-60E | MDU2653 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.