MEE6240T Todos los transistores

 

MEE6240T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MEE6240T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 94.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 894 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO220

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MEE6240T datasheet

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MEE6240T

MEE6240T N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE6240T is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON) 2.5m @VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON) 4.1m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

Otros transistores... MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 , MEE4298-G , MEE4298HT , MEE4298K-G , MEE4298T , K4145 , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G , MEE7630-G , MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G .

 

 

 


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