MEE6240T Todos los transistores

 

MEE6240T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MEE6240T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 175 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 94.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 894 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MEE6240T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  matsuki electric
 mee6240t.pdf pdf_icon

MEE6240T

MEE6240T N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE6240T is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

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History: NCEP033N10 | NDH8303N | J112RLRAG | SVS5N70D | IXFB100N50P | NCEP014NH60GU | CEU4311

 

 
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