MEE6240T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE6240T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 175 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 73.8 nC
Tiempo de subida (tr): 94.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 894 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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MEE6240T Datasheet (PDF)
mee6240t.pdf
MEE6240T N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE6240T is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and
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