Справочник MOSFET. MEE6240T

 

MEE6240T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE6240T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 894 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE6240T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  matsuki electric
 mee6240t.pdf pdf_icon

MEE6240T

MEE6240T N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE6240T is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDN359AN | IXTH30N50L2 | WM01P60M | 2N4338 | SI1402DH | ITF87008DQT | SDF054JAB-D

 

 
Back to Top

 


 
.