Справочник MOSFET. MEE6240T

 

MEE6240T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MEE6240T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 175 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 73.8 nC
   Время нарастания (tr): 94.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 894 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MEE6240T

 

 

MEE6240T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  matsuki electric
mee6240t.pdf

MEE6240T
MEE6240T

MEE6240T N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE6240T is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top