MEE7630-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE7630-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 148 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 894 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Encapsulados: POWERDFN5X6
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MEE7630-G datasheet
mee7630-g.pdf
Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON) 1.6m @VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON) 2.6m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate
mee7636-g.pdf
MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON) 2.5 m @VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON) 4.1m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and
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History: AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210
History: AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210
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