MEE7630-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MEE7630-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 148 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 894 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MEE7630-G

MEE7630-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1519K matsuki electric
mee7630-g.pdf

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8.1. Size:1359K matsuki electric
mee7636-g.pdf

MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5 m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

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Liste

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