MEE7630-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MEE7630-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 148 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 45.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 894 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
MEE7630-G Datasheet (PDF)
mee7630-g.pdf
Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)1.6m@VGS=10Vfield effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)2.6m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Chargeon-state resistance and gate
mee7636-g.pdf
MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5 m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F