Справочник MOSFET. MEE7630-G

 

MEE7630-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE7630-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 148 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 894 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для MEE7630-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE7630-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1519K  matsuki electric
 mee7630-g.pdf pdf_icon

MEE7630-G

Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)1.6m@VGS=10Vfield effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)2.6m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Chargeon-state resistance and gate

 8.1. Size:1359K  matsuki electric
 mee7636-g.pdf pdf_icon

MEE7630-G

MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5 m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

Другие MOSFET... MEE4298HT , MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G , IRF530 , MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 .

History: APT1002RBNR

 

 
Back to Top

 


 
.