MEE7636-G Todos los transistores

 

MEE7636-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MEE7636-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 119 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6
 

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MEE7636-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1359K  matsuki electric
 mee7636-g.pdf pdf_icon

MEE7636-G

MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5 m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

 8.1. Size:1519K  matsuki electric
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MEE7636-G

Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)1.6m@VGS=10Vfield effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)2.6m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Chargeon-state resistance and gate

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History: RU6050R | SI5429DU | SFG08R06DF | IRFR410 | HYG013N03LS1C2 | NCEP045N10D | NCEP039N10MD

 

 
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