MEE7636-G - описание и поиск аналогов

 

MEE7636-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE7636-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для MEE7636-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE7636-G даташит

 ..1. Size:1359K  matsuki electric
 mee7636-g.pdf pdf_icon

MEE7636-G

MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON) 2.5 m @VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON) 4.1m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

 8.1. Size:1519K  matsuki electric
 mee7630-g.pdf pdf_icon

MEE7636-G

Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON) 1.6m @VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON) 2.6m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate

Другие MOSFET... MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G , MEE7630-G , IRFB3607 , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 , NCE1579C , SMP730 , HCA60R040 , MS5N100 .

History: ME95N03T | HX3400 | SVF10N65T | MEE7816AS-G | 2SK2791 | 2SK2760-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.