Справочник MOSFET. MEE7636-G

 

MEE7636-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MEE7636-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6

 Аналог (замена) для MEE7636-G

 

 

MEE7636-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1359K  matsuki electric
 mee7636-g.pdf

MEE7636-G MEE7636-G

MEE7636-G N-Channel 40V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7636-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)2.5 m@VGS=10V field effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)4.1m@VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Charge on-state resistance and gate charge, and

 8.1. Size:1519K  matsuki electric
 mee7630-g.pdf

MEE7636-G MEE7636-G

Preliminary MEE7630-G N-Channel 40-V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7630-G is the N-Channel enhancement mode power RDS(ON)1.6m@VGS=10Vfield effect transistor, using Force-MOS patented Fast Trench Gate(FTG) RDS(ON)2.6m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Low Gate Chargeon-state resistance and gate

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top