MEE7816S-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MEE7816S-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 16.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 24.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 119 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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MEE7816S-G Datasheet (PDF)

..1. Size:2582K matsuki electric
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Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t

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Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro

7.1. Size:2368K matsuki electric
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MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology

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