MEE7816S-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE7816S-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
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MEE7816S-G datasheet
mee7816s-g.pdf
Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t
mee7816s.pdf
Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
mee7816as-g.pdf
MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 100m @VGS=10V The MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC current Gate(ETG) technology. This advanced technology
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History: JMSH0602AKQ | AP03N70H-HF
History: JMSH0602AKQ | AP03N70H-HF
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